
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.380247 | ¥14.38 |
| 10 | ¥11.810161 | ¥118.10 |
| 100 | ¥9.186531 | ¥918.65 |
| 500 | ¥7.78614 | ¥3893.07 |
| 1000 | ¥6.342608 | ¥6342.61 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SQJ474EP-T1_GE3
型号:SQJ474EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.380247 |
| 10+: | ¥11.810161 |
| 100+: | ¥9.186531 |
| 500+: | ¥7.78614 |
| 1000+: | ¥6.342608 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.38