
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.439574 | ¥18.44 |
| 10 | ¥16.541909 | ¥165.42 |
| 100 | ¥13.550999 | ¥1355.10 |
| 500 | ¥11.535893 | ¥5767.95 |
| 1000 | ¥9.729053 | ¥9729.05 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17.3 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK17E65W,S1X
型号:TK17E65W,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.439574 |
| 10+: | ¥16.541909 |
| 100+: | ¥13.550999 |
| 500+: | ¥11.535893 |
| 1000+: | ¥9.729053 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.44