STB7N52K3
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- 制造商编号：
- STB7N52K3
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.219481 | ￥4.22 |
| 25 | ￥3.816254 | ￥95.41 |
| 50 | ￥3.657844 | ￥182.89 |
| 100 | ￥3.528235 | ￥352.82 |
| 250 | ￥3.398627 | ￥849.66 |
| 500 | ￥3.254617 | ￥1627.31 |
| 1000 | ￥3.067404 | ￥3067.40 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB7N52K3
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
SuperMESH3™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
525V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
980mOhm @ 3.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
34nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
737pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
90W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB7N52K3 同类别型号
注
STB7N52K3品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STB7N52K3
数据手册PDF。
STB7N52K3
型号：STB7N52K3
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.219481 |
| 25+： | ￥3.816254 |
| 50+： | ￥3.657844 |
| 100+： | ￥3.528235 |
| 250+： | ￥3.398627 |
| 500+： | ￥3.254617 |
| 1000+： | ￥3.067404 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.22