CSD17581Q3AT
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- 制造商编号：
- CSD17581Q3AT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥3.483381 | ￥870.85 |
| 500 | ￥3.078332 | ￥1539.17 |
| 1250 | ￥2.430241 | ￥3037.80 |
| 2500 | ￥2.268233 | ￥5670.58 |
| 6250 | ￥2.154844 | ￥13467.78 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 78 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.700 mg
CSD17581Q3AT 同类别型号
注
CSD17581Q3AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD17581Q3AT
数据手册PDF
。
CSD17581Q3AT
型号：CSD17581Q3AT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥3.483381 |
| 500+： | ￥3.078332 |
| 1250+： | ￥2.430241 |
| 2500+： | ￥2.268233 |
| 6250+： | ￥2.154844 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00