货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥4.260204 | ¥1065.05 |
500 | ¥3.764825 | ¥1882.41 |
1250 | ¥2.972205 | ¥3715.26 |
2500 | ¥2.774067 | ¥6935.17 |
6250 | ¥2.635391 | ¥16471.19 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 78 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.700 mg
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0CSD17581Q3AT
型号:CSD17581Q3AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥4.260204 |
500+: | ¥3.764825 |
1250+: | ¥2.972205 |
2500+: | ¥2.774067 |
6250+: | ¥2.635391 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00