IXFH12N100F
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- 制造商编号：
- IXFH12N100F
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥67.271948 | ￥67.27 |
| 10 | ￥61.844261 | ￥618.44 |
| 100 | ￥52.229022 | ￥5222.90 |
| 500 | ￥46.461559 | ￥23230.78 |
| 1000 | ￥42.616415 | ￥42616.42 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXFH12N100F
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
包装
Tube
系列
HiPerRF™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.05Ohm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
77nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2700pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247AD (IXFH)
封装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
IXFH12N100F 同类别型号
注
IXFH12N100F品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFH12N100F
数据手册PDF。
IXFH12N100F
型号：IXFH12N100F
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥67.271948 |
| 10+： | ￥61.844261 |
| 100+： | ￥52.229022 |
| 500+： | ￥46.461559 |
| 1000+： | ￥42.616415 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥67.27