
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.292181 | ¥16.29 |
| 10 | ¥14.549626 | ¥145.50 |
| 25 | ¥13.804435 | ¥345.11 |
| 100 | ¥10.353327 | ¥1035.33 |
| 250 | ¥10.254723 | ¥2563.68 |
| 500 | ¥8.775676 | ¥4387.84 |
| 1000 | ¥7.148726 | ¥7148.73 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJ444EP-T1_GE3
型号:SQJ444EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.292181 |
| 10+: | ¥14.549626 |
| 25+: | ¥13.804435 |
| 100+: | ¥10.353327 |
| 250+: | ¥10.254723 |
| 500+: | ¥8.775676 |
| 1000+: | ¥7.148726 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.29