FQD9N25TM-F080
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- 制造商编号：
- FQD9N25TM-F080
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导（Min） 6.8 S
上升时间 105 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
零件号别名 FQD9N25TM_F080
单位重量 330 mg
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注
FQD9N25TM-F080品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、FQD9N25TM-F080
数据手册PDF。
FQD9N25TM-F080
型号：FQD9N25TM-F080
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00