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DMT6009LFG-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMT6009LFG-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 11A
渠道:
digikey

库存 :4168

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 13.078342 13.08
10 10.69933 106.99
100 8.321563 832.16
500 7.053586 3526.79
1000 5.746002 5746.00

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 34 A

漏源电阻 10 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 16 V

栅源极阈值电压 700 mV

栅极电荷 33.5 nC

耗散功率 19.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 30 mg

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DMT6009LFG-7

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型号:DMT6009LFG-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:4168 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥13.078342
10+: ¥10.69933
100+: ¥8.321563
500+: ¥7.053586
1000+: ¥5.746002

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