
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.995305 | ¥15.00 |
| 10 | ¥12.267589 | ¥122.68 |
| 100 | ¥9.5413 | ¥954.13 |
| 500 | ¥8.087469 | ¥4043.73 |
| 1000 | ¥6.588225 | ¥6588.23 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 19.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT6009LFG-7
型号:DMT6009LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.995305 |
| 10+: | ¥12.267589 |
| 100+: | ¥9.5413 |
| 500+: | ¥8.087469 |
| 1000+: | ¥6.588225 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.00