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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
湿度敏感性 Yes
晶体管类型 1 P-Channel
高度 1.11 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP001575308
单位重量 191.170 mg
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0IRF7526D1TRPBF
型号:IRF7526D1TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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