STFI15N65M5
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- 制造商编号：
- STFI15N65M5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.409482 | ￥36.41 |
| 10 | ￥32.669365 | ￥326.69 |
| 25 | ￥30.816306 | ￥770.41 |
| 100 | ￥24.034508 | ￥2403.45 |
| 250 | ￥23.418238 | ￥5854.56 |
| 500 | ￥20.336892 | ￥10168.45 |
| 1000 | ￥17.255544 | ￥17255.54 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STFI15N65M5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
340mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
816pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I2PAKFP (TO-281)
封装/外壳
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
STFI15N65M5 同类别型号
注
STFI15N65M5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STFI15N65M5
数据手册PDF。
STFI15N65M5
型号：STFI15N65M5
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.409482 |
| 10+： | ￥32.669365 |
| 25+： | ￥30.816306 |
| 100+： | ￥24.034508 |
| 250+： | ￥23.418238 |
| 500+： | ￥20.336892 |
| 1000+： | ￥17.255544 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.41