
货期: 8周-10周
起订量:300
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 300 | ¥128.124172 | ¥38437.25 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 20 A
漏源电阻 570 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 126 nC
耗散功率 660 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 5.1 mm
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 4.500 g
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0IXFT20N100P
型号:IXFT20N100P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 300+: | ¥128.124172 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00