SI9407BDY-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI9407BDY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.312221 | ￥3.31 |
| 10 | ￥2.54897 | ￥25.49 |
| 30 | ￥2.404961 | ￥72.15 |
| 100 | ￥2.260951 | ￥226.10 |
| 500 | ￥2.203346 | ￥1101.67 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导（Min） 8.5 nS
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns, 40 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9407BDY-GE3
单位重量 750 mg
SI9407BDY-T1-GE3 同类别型号
注
SI9407BDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI9407BDY-T1-GE3、查询SI9407BDY-T1-GE3代理商；
SI9407BDY-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI9407BDY-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI9407BDY-T1-GE3
替代型号
、SI9407BDY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI9407BDY-T1-GE3
型号：SI9407BDY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.312221 |
| 10+： | ￥2.54897 |
| 30+： | ￥2.404961 |
| 100+： | ￥2.260951 |
| 500+： | ￥2.203346 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.31