
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.234593 | ¥40.23 |
| 10 | ¥36.154464 | ¥361.54 |
| 100 | ¥29.063825 | ¥2906.38 |
| 500 | ¥23.878946 | ¥11939.47 |
| 1000 | ¥19.785504 | ¥19785.50 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 9.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
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0RS1P600BETB1
型号:RS1P600BETB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.234593 |
| 10+: | ¥36.154464 |
| 100+: | ¥29.063825 |
| 500+: | ¥23.878946 |
| 1000+: | ¥19.785504 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.23