
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥6.87643 | ¥68.76 |
| 200 | ¥4.1019 | ¥820.38 |
| 800 | ¥2.87133 | ¥2297.06 |
| 2500 | ¥2.05095 | ¥5127.38 |
| 5000 | ¥1.948463 | ¥9742.32 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10.3 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 16.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN3016LSS-13
型号:DMN3016LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥6.87643 |
| 200+: | ¥4.1019 |
| 800+: | ¥2.87133 |
| 2500+: | ¥2.05095 |
| 5000+: | ¥1.948463 |
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