SCTWA20N120
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- 制造商编号：
- SCTWA20N120
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- IC POWER MOSFET 1200V HIP247
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥208.208108 | ￥208.21 |
| 10 | ￥191.28833 | ￥1912.88 |
| 30 | ￥183.358831 | ￥5500.76 |
| 120 | ￥161.552512 | ￥19386.30 |
| 270 | ￥153.623622 | ￥41478.38 |
| 510 | ￥143.712854 | ￥73293.56 |
| 1020 | ￥131.819292 | ￥134455.68 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCTWA20N120
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
包装
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系列
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零件状态
Active
FET 类型
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技术
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漏源电压（Vdss）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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Vgs（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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FET 功能
-
功率耗散（最大值）
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工作温度
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安装类型
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供应商器件封装
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封装/外壳
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SCTWA20N120 同类别型号
注
SCTWA20N120品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SCTWA20N120
数据手册PDF。
SCTWA20N120
型号：SCTWA20N120
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥208.208108 |
| 10+： | ￥191.28833 |
| 30+： | ￥183.358831 |
| 120+： | ￥161.552512 |
| 270+： | ￥153.623622 |
| 510+： | ￥143.712854 |
| 1020+： | ￥131.819292 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥208.21