
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.691957 | ¥16.69 |
| 10 | ¥14.989154 | ¥149.89 |
| 100 | ¥12.282592 | ¥1228.26 |
| 500 | ¥10.456112 | ¥5228.06 |
| 1000 | ¥8.818395 | ¥8818.40 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 850 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 28.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.5 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCPF850N80Z
型号:FCPF850N80Z
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.691957 |
| 10+: | ¥14.989154 |
| 100+: | ¥12.282592 |
| 500+: | ¥10.456112 |
| 1000+: | ¥8.818395 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.69