ZXM66P02N8TA
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- 制造商编号：
- ZXM66P02N8TA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：33
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 33 | ￥2.440462 | ￥80.54 |
| 50 | ￥2.252729 | ￥112.64 |
| 100 | ￥2.064995 | ￥206.50 |
| 300 | ￥2.064995 | ￥619.50 |
| 500 | ￥2.064995 | ￥1032.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
ZXM66P02N8TA
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
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零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2068pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ZXM66P02N8TA 同类别型号
注
ZXM66P02N8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、ZXM66P02N8TA
数据手册PDF。
ZXM66P02N8TA
型号：ZXM66P02N8TA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 33+： | ￥2.440462 |
| 50+： | ￥2.252729 |
| 100+： | ￥2.064995 |
| 300+： | ￥2.064995 |
| 500+： | ￥2.064995 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00