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FDD7N60NZTM

ON(安森美)
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制造商编号:
FDD7N60NZTM
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
渠道:
国内现货
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 5.5 A

漏源电阻 1.05 Ohms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 17 nC

耗散功率 90 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

外形参数

高度 2.39 mm

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 330 mg

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FDD7N60NZTM

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型号:FDD7N60NZTM

品牌:ON

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