
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.27428 | ¥12.27 |
| 10 | ¥7.576716 | ¥75.77 |
| 100 | ¥4.900621 | ¥490.06 |
| 500 | ¥3.744111 | ¥1872.06 |
| 1000 | ¥3.371033 | ¥3371.03 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10.3 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 16.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN3016LSS-13
型号:DMN3016LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.27428 |
| 10+: | ¥7.576716 |
| 100+: | ¥4.900621 |
| 500+: | ¥3.744111 |
| 1000+: | ¥3.371033 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.27