
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥6.618387 | ¥16545.97 |
| 5000 | ¥6.369563 | ¥31847.82 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标名 PrestoMOS
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 585 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6009JND3TL1
型号:R6009JND3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥6.618387 |
| 5000+: | ¥6.369563 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00