ZXM66P02N8TA
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- 制造商编号：
- ZXM66P02N8TA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：33
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 33 | ￥5.913531 | ￥195.15 |
| 50 | ￥5.458631 | ￥272.93 |
| 100 | ￥5.003732 | ￥500.37 |
| 300 | ￥5.003732 | ￥1501.12 |
| 500 | ￥5.003732 | ￥2501.87 |
| 1000 | ￥4.548832 | ￥4548.83 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
ZXM66P02N8TA
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2068pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ZXM66P02N8TA 同类别型号
注
ZXM66P02N8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、ZXM66P02N8TA
数据手册PDF。
ZXM66P02N8TA
型号：ZXM66P02N8TA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 33+： | ￥5.913531 |
| 50+： | ￥5.458631 |
| 100+： | ￥5.003732 |
| 300+： | ￥5.003732 |
| 500+： | ￥5.003732 |
| 1000+： | ￥4.548832 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00