货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥17.818828 | ¥17.82 |
10 | ¥14.628884 | ¥146.29 |
100 | ¥11.377883 | ¥1137.79 |
500 | ¥9.644099 | ¥4822.05 |
1000 | ¥7.85611 | ¥7856.11 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 13.5 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 41.3 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
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0DMTH6010LPSQ-13
型号:DMTH6010LPSQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.818828 |
10+: | ¥14.628884 |
100+: | ¥11.377883 |
500+: | ¥9.644099 |
1000+: | ¥7.85611 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.82