货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.119064 | ¥12.12 |
10 | ¥9.94258 | ¥99.43 |
100 | ¥7.737653 | ¥773.77 |
500 | ¥6.558641 | ¥3279.32 |
1000 | ¥5.342654 | ¥5342.65 |
2000 | ¥5.029412 | ¥10058.82 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 53 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN7R506NH,L1Q
型号:TPN7R506NH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.119064 |
10+: | ¥9.94258 |
100+: | ¥7.737653 |
500+: | ¥6.558641 |
1000+: | ¥5.342654 |
2000+: | ¥5.029412 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.12