
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.48782 | ¥23.49 |
| 10 | ¥14.850363 | ¥148.50 |
| 100 | ¥9.89216 | ¥989.22 |
| 500 | ¥7.767044 | ¥3883.52 |
| 1000 | ¥7.083473 | ¥7083.47 |
| 2000 | ¥6.839502 | ¥13679.00 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 53 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN7R506NH,L1Q
型号:TPN7R506NH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.48782 |
| 10+: | ¥14.850363 |
| 100+: | ¥9.89216 |
| 500+: | ¥7.767044 |
| 1000+: | ¥7.083473 |
| 2000+: | ¥6.839502 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.49