
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.1932 | ¥25.19 |
| 10 | ¥21.175422 | ¥211.75 |
| 100 | ¥17.129585 | ¥1712.96 |
| 500 | ¥15.226603 | ¥7613.30 |
| 1000 | ¥13.03772 | ¥13037.72 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 310 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 18.5 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0IXFA12N65X2
型号:IXFA12N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.1932 |
| 10+: | ¥21.175422 |
| 100+: | ¥17.129585 |
| 500+: | ¥15.226603 |
| 1000+: | ¥13.03772 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥25.19