
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.174437 | ¥36.17 |
| 10 | ¥32.450988 | ¥324.51 |
| 100 | ¥26.078722 | ¥2607.87 |
| 500 | ¥21.426397 | ¥10713.20 |
| 1000 | ¥17.7533 | ¥17753.30 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 64 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR880DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR880DP-T1-GE3
型号:SIR880DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.174437 |
| 10+: | ¥32.450988 |
| 100+: | ¥26.078722 |
| 500+: | ¥21.426397 |
| 1000+: | ¥17.7533 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥36.17