
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥35.601246 | ¥35.60 |
| 10 | ¥29.539026 | ¥295.39 |
| 100 | ¥23.512551 | ¥2351.26 |
| 500 | ¥19.895521 | ¥9947.76 |
| 1000 | ¥16.88114 | ¥16881.14 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标名 PrestoMOS
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 585 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6009JND3TL1
型号:R6009JND3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥35.601246 |
| 10+: | ¥29.539026 |
| 100+: | ¥23.512551 |
| 500+: | ¥19.895521 |
| 1000+: | ¥16.88114 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.60