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BSZ180P03NS3GATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
BSZ180P03NS3GATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:5000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
5000 1.665206 8326.03
10000 1.54186 15418.60
25000 1.517191 37929.78

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 39.6 A

漏源电阻 13.5 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 3.1 V

栅极电荷 30 nC

耗散功率 40 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3 ns

正向跨导(Min) 18 S

上升时间 11 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 20 ns

典型接通延迟时间 11 ns

外形参数

高度 1.1 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSZ180P03NS3 G SP000709744

单位重量 38.760 mg

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BSZ180P03NS3GATMA1

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型号:BSZ180P03NS3GATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

5000+: ¥1.665206
10000+: ¥1.54186
25000+: ¥1.517191

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