货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥31.050068 | ¥31.05 |
10 | ¥25.762828 | ¥257.63 |
100 | ¥20.506763 | ¥2050.68 |
500 | ¥17.352126 | ¥8676.06 |
1000 | ¥14.723095 | ¥14723.10 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标名 PrestoMOS
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 585 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6009JND3TL1
型号:R6009JND3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥31.050068 |
10+: | ¥25.762828 |
100+: | ¥20.506763 |
500+: | ¥17.352126 |
1000+: | ¥14.723095 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥31.05