货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.031415 | ¥8.03 |
10 | ¥7.030578 | ¥70.31 |
25 | ¥6.608002 | ¥165.20 |
100 | ¥4.795373 | ¥479.54 |
250 | ¥4.625107 | ¥1156.28 |
500 | ¥4.007058 | ¥2003.53 |
1000 | ¥3.410262 | ¥3410.26 |
2500 | ¥3.197122 | ¥7992.80 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39.6 A
漏源电阻 13.5 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ180P03NS3 G SP000709744
单位重量 38.760 mg
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0BSZ180P03NS3GATMA1
型号:BSZ180P03NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.031415 |
10+: | ¥7.030578 |
25+: | ¥6.608002 |
100+: | ¥4.795373 |
250+: | ¥4.625107 |
500+: | ¥4.007058 |
1000+: | ¥3.410262 |
2500+: | ¥3.197122 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.03