
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥5.36694 | ¥4293.55 |
| 1600 | ¥4.553798 | ¥7286.08 |
| 2400 | ¥4.326088 | ¥10382.61 |
| 5600 | ¥4.163471 | ¥23315.44 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 53 ns
正向跨导(Min) 69 S
上升时间 78 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1010ESTRLPBF SP001553824
单位重量 330 mg
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0IRF1010ESTRLPBF
型号:IRF1010ESTRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥5.36694 |
| 1600+: | ¥4.553798 |
| 2400+: | ¥4.326088 |
| 5600+: | ¥4.163471 |
货期:1-2天
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