
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.206689 | ¥6.21 |
| 10 | ¥5.157671 | ¥51.58 |
| 30 | ¥4.64409 | ¥139.32 |
| 100 | ¥4.130508 | ¥413.05 |
| 500 | ¥3.813617 | ¥1906.81 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 11.5 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP12N50
型号:FDP12N50
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.206689 |
| 10+: | ¥5.157671 |
| 30+: | ¥4.64409 |
| 100+: | ¥4.130508 |
| 500+: | ¥3.813617 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.21