货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥20.310972 | ¥20.31 |
10 | ¥16.846892 | ¥168.47 |
100 | ¥13.403996 | ¥1340.40 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 53 ns
正向跨导(Min) 69 S
上升时间 78 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1010ESTRLPBF SP001553824
单位重量 330 mg
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0IRF1010ESTRLPBF
型号:IRF1010ESTRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.310972 |
10+: | ¥16.846892 |
100+: | ¥13.403996 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.31