BSO051N03MS G
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- 制造商编号：
- BSO051N03MS G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.208624 | ￥9.21 |
| 10 | ￥7.055223 | ￥70.55 |
| 25 | ￥6.494205 | ￥162.36 |
| 100 | ￥5.855268 | ￥585.53 |
| 250 | ￥5.536509 | ￥1384.13 |
| 500 | ￥5.358852 | ￥2679.43 |
| 1000 | ￥5.181337 | ￥5181.34 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSO051N03MS G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.1mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
55nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4300pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-DSO-8
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
BSO051N03MS G 同类别型号
注
BSO051N03MS G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、BSO051N03MS G
数据手册PDF
。
BSO051N03MS G
型号：BSO051N03MS G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.208624 |
| 10+： | ￥7.055223 |
| 25+： | ￥6.494205 |
| 100+： | ￥5.855268 |
| 250+： | ￥5.536509 |
| 500+： | ￥5.358852 |
| 1000+： | ￥5.181337 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.21