
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.282385 | ¥16.28 |
| 10 | ¥14.599873 | ¥146.00 |
| 100 | ¥11.380031 | ¥1138.00 |
| 500 | ¥9.401178 | ¥4700.59 |
| 1000 | ¥7.422055 | ¥7422.06 |
| 2000 | ¥6.927205 | ¥13854.41 |
| 5000 | ¥6.580797 | ¥32903.99 |
| 10000 | ¥6.333441 | ¥63334.41 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 8.4 A
漏源电阻 1.76 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 17.2 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN60R800CE SP001508822
单位重量 2 g
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0IPAN60R800CEXKSA1
型号:IPAN60R800CEXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.282385 |
| 10+: | ¥14.599873 |
| 100+: | ¥11.380031 |
| 500+: | ¥9.401178 |
| 1000+: | ¥7.422055 |
| 2000+: | ¥6.927205 |
| 5000+: | ¥6.580797 |
| 10000+: | ¥6.333441 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.28