货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥6.129454 | ¥15323.64 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 855 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.6 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD65R950C6 SP001107082
单位重量 330 mg
购物车
0IPD65R950C6ATMA1
型号:IPD65R950C6ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥6.129454 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00