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制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 620 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 6.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN70R750P7S SP001664912
单位重量 116.010 mg
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0IPN70R750P7SATMA1
型号:IPN70R750P7SATMA1
品牌:INFINEON
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