货期:(7~10天)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥16.205173 | ¥16205.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 7.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 96 nC
耗散功率 215 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB80N06S2-08 SP001067884
单位重量 4 g
购物车
0IPB80N06S208ATMA2
型号:IPB80N06S208ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥16.205173 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00