IXFX120N30T
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFX120N30T
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥67.135955 | ￥2014.08 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 265 nC
耗散功率 960 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导（Min） 70 S
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 87 ns
典型接通延迟时间 32 ns
外形参数
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 6 g
IXFX120N30T 同类别型号
注
IXFX120N30T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFX120N30T
数据手册PDF。
IXFX120N30T
型号：IXFX120N30T
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥67.135955 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00