IXTH1N170DHV
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- 制造商编号：
- IXTH1N170DHV
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH
- 渠道：
- digikey
库存 ：60
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥212.337547 | ￥212.34 |
| 10 | ￥195.175519 | ￥1951.76 |
| 100 | ￥164.832035 | ￥16483.20 |
| 500 | ￥146.630076 | ￥73315.04 |
| 1000 | ￥137.896646 | ￥137896.65 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 1 A
漏源电阻 16 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 290 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 216 ns
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 46 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
IXTH1N170DHV 同类别型号
注
IXTH1N170DHV品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTH1N170DHV
数据手册PDF。
IXTH1N170DHV
型号：IXTH1N170DHV
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：60 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥212.337547 |
| 10+： | ￥195.175519 |
| 100+： | ￥164.832035 |
| 500+： | ￥146.630076 |
| 1000+： | ￥137.896646 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥212.34