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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.709994 | ¥7099.94 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 990 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1 nC
耗散功率 320 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.7 ns
正向跨导(Min) 180 mS
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0DMN2990UFZ-7B
型号:DMN2990UFZ-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.709994 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00