IPD50N06S4L08ATMA1
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- 制造商编号：
- IPD50N06S4L08ATMA1
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：2268
货期：（7~10天）
起订量：831
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 831 | ￥5.507342 | ￥4576.60 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPD50N06S4L08ATMA1
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.8mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 35µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
64nC @ 10V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4.78pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
IPD50N06S4L08ATMA1品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IPD50N06S4L08ATMA1
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IPD50N06S4L08ATMA1
型号：IPD50N06S4L08ATMA1
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：2268 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 831+： | ￥5.507342 |
货期：7-10天
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