货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.074347 | ¥15.07 |
10 | ¥13.430996 | ¥134.31 |
25 | ¥12.751415 | ¥318.79 |
100 | ¥10.472964 | ¥1047.30 |
500 | ¥8.651192 | ¥4325.60 |
1000 | ¥6.829794 | ¥6829.79 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4.2 A
漏源电阻 1.45 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0SIHD1K4N60E-GE3
型号:SIHD1K4N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.074347 |
10+: | ¥13.430996 |
25+: | ¥12.751415 |
100+: | ¥10.472964 |
500+: | ¥8.651192 |
1000+: | ¥6.829794 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.07