SIHD1K4N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHD1K4N60E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH DPAK TO-252
- 渠道：
- digikey
库存 ：2961
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.283877 | ￥17.28 |
| 10 | ￥15.399651 | ￥154.00 |
| 25 | ￥14.62046 | ￥365.51 |
| 100 | ￥12.008044 | ￥1200.80 |
| 500 | ￥9.919245 | ￥4959.62 |
| 1000 | ￥7.830874 | ￥7830.87 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4.2 A
漏源电阻 1.45 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 0.8 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SIHD1K4N60E-GE3 同类别型号
注
SIHD1K4N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHD1K4N60E-GE3
数据手册PDF。
SIHD1K4N60E-GE3
型号：SIHD1K4N60E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2961 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.283877 |
| 10+： | ￥15.399651 |
| 25+： | ￥14.62046 |
| 100+： | ￥12.008044 |
| 500+： | ￥9.919245 |
| 1000+： | ￥7.830874 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.28