IPB034N03LGATMA1
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- 制造商编号：
- IPB034N03LGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：25
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.967328 | ￥20.97 |
| 10 | ￥18.884762 | ￥188.85 |
| 25 | ￥17.816562 | ￥445.41 |
| 100 | ￥13.896522 | ￥1389.65 |
| 250 | ￥13.539794 | ￥3384.95 |
| 500 | ￥11.758138 | ￥5879.07 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB034N03LGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.4mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5300pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB034N03LGATMA1 同类别型号
注
IPB034N03LGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPB034N03LGATMA1
数据手册PDF
。
IPB034N03LGATMA1
型号：IPB034N03LGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：25 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.967328 |
| 10+： | ￥18.884762 |
| 25+： | ￥17.816562 |
| 100+： | ￥13.896522 |
| 250+： | ￥13.539794 |
| 500+： | ￥11.758138 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.97