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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 22 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
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02SJ377(TE16R1,NQ)
型号:2SJ377(TE16R1,NQ)
品牌:Toshiba
供货:锐单
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