
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.208624 | ¥9.21 |
| 10 | ¥7.891082 | ¥78.91 |
| 25 | ¥7.366899 | ¥184.17 |
| 100 | ¥5.474173 | ¥547.42 |
| 250 | ¥5.199896 | ¥1299.97 |
| 500 | ¥4.273652 | ¥2136.83 |
| 1000 | ¥3.473634 | ¥3473.63 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 2.34 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R1K0CE SP001434884
单位重量 112 mg
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0IPN60R1K0CEATMA1
型号:IPN60R1K0CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.208624 |
| 10+: | ¥7.891082 |
| 25+: | ¥7.366899 |
| 100+: | ¥5.474173 |
| 250+: | ¥5.199896 |
| 500+: | ¥4.273652 |
| 1000+: | ¥3.473634 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.21