货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.031415 | ¥8.03 |
10 | ¥6.882305 | ¥68.82 |
25 | ¥6.425132 | ¥160.63 |
100 | ¥4.774368 | ¥477.44 |
250 | ¥4.535155 | ¥1133.79 |
500 | ¥3.727319 | ¥1863.66 |
1000 | ¥3.029573 | ¥3029.57 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 2.34 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R1K0CE SP001434884
单位重量 112 mg
购物车
0IPN60R1K0CEATMA1
型号:IPN60R1K0CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.031415 |
10+: | ¥6.882305 |
25+: | ¥6.425132 |
100+: | ¥4.774368 |
250+: | ¥4.535155 |
500+: | ¥3.727319 |
1000+: | ¥3.029573 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.03