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IPN60R1K0CEATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPN60R1K0CEATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
CONSUMER
渠道:
digikey

库存 :1386

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.031415 8.03
10 6.882305 68.82
25 6.425132 160.63
100 4.774368 477.44
250 4.535155 1133.79
500 3.727319 1863.66
1000 3.029573 3029.57

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 6.8 A

漏源电阻 2.34 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 13 nC

耗散功率 5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 13 ns

上升时间 8 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 60 ns

典型接通延迟时间 10 ns

外形参数

高度 1.6 mm

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPN60R1K0CE SP001434884

单位重量 112 mg

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IPN60R1K0CEATMA1

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型号:IPN60R1K0CEATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:1386 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥8.031415
10+: ¥6.882305
25+: ¥6.425132
100+: ¥4.774368
250+: ¥4.535155
500+: ¥3.727319
1000+: ¥3.029573

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