货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.91158 | ¥5734.74 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1.64 Ohms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 70 ns
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN70R2K0P7S SP001664884
单位重量 116.010 mg
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0IPN70R2K0P7SATMA1
型号:IPN70R2K0P7SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.91158 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00