STU3N62K3
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- 制造商编号：
- STU3N62K3
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：55
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.805278 | ￥17.81 |
| 10 | ￥14.592857 | ￥145.93 |
| 100 | ￥11.345573 | ￥1134.56 |
| 500 | ￥9.616594 | ￥4808.30 |
| 1000 | ￥7.833701 | ￥7833.70 |
| 2000 | ￥7.374498 | ￥14749.00 |
| 5000 | ￥7.023248 | ￥35116.24 |
| 10000 | ￥6.699143 | ￥66991.43 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STU3N62K3
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
620V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
13nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
385pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
STU3N62K3 同类别型号
注
STU3N62K3品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STU3N62K3
数据手册PDF。
STU3N62K3
型号：STU3N62K3
品牌：ST
供货：锐单
库存：55 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.805278 |
| 10+： | ￥14.592857 |
| 100+： | ￥11.345573 |
| 500+： | ￥9.616594 |
| 1000+： | ￥7.833701 |
| 2000+： | ￥7.374498 |
| 5000+： | ￥7.023248 |
| 10000+： | ￥6.699143 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.81