货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥8.170436 | ¥24511.31 |
6000 | ¥7.578375 | ¥45470.25 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 7.9 A
漏源电阻 520 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 18 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIHJ7N65E-T1-GE3
型号:SIHJ7N65E-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥8.170436 |
6000+: | ¥7.578375 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00