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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 330 nC
耗散功率 560 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK44N60
型号:IXFK44N60
品牌:IXYS
供货:锐单
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